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PTVA123501ECV2XWSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
PTVA123501ECV2XWSA1 |
参数属性 | PTVA123501ECV2XWSA1 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | IC AMP RF LDMOS |
封装外壳 | 2-扁平封装,叶片引线 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 13:01:00 |
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PTVA123501ECV2XWSA1规格书详情
简介
PTVA123501ECV2XWSA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTVA123501ECV2XWSA1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
PTVA123501ECV2XWSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益:
17dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
350W
- 封装/外壳:
2-扁平封装,叶片引线
- 供应商器件封装:
H-36248-2
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
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20000 |
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Infineon |
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