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PTFA211801F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz

文件:275.87 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA211801F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 – 2170 MHz

Infineon

英飞凌

PTFA211801F V4

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

PTFA211801F V4 R250

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

INFINEON

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    PTFA211801F

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 – 2170 MHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PTFA211801F供应商 更新时间2026-4-17 13:31:00