| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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14年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
365 |
24+ |
现货供应 |
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INFINEON/英飞凌NA |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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6年
留言
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INFINEONNA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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8年
留言
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INFINEONSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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11年
留言
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INFINEONNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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3年
留言
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INFINEONNA |
7000 |
23+ |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH302482 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEONSMD-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesH-30248-2 |
21000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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6年
留言
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INFINEONH-30248-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH302482 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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INFINEONH-30248-2 |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEONSMD-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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INFINEONSMD-2 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesH302482 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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9年
留言
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Infineon TechnologiesH-30248-2 |
21000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
PTFA260851E采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PTFA260851E图片
PTFA260851EV1中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFA260851E制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 85 W, 2500 – 2700 MHz
PTFA260851E V1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA260851E V1 R250功能描述:IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTFA260851EV1R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

























