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PTF180101	文件：310.59 Kbytes Page：10 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF180101M	文件：314.5 Kbytes Page：8 Pages	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor10W,1.0??2.0GHz Description ThePTF180101Misanunmatched10-wattGOLDMOS®FETintendedforclassABbasestationapplicationsinthe1to2GHzband.ThisLDMOSdeviceoffersexcellentgain,efficiencyandlinearityperformanceinasmallfootprint. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF180101S	文件：209.3 Kbytes Page：10 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF180101S	文件：310.59 Kbytes Page：10 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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