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PZTA14	文件：139.2 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPNSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:PZTA63 PZTA64(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZTA14	文件：55.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremely highcurrentgainatcollectorcurrentsto1.0A.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZTA14	文件：42.66 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPNSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:PZTA63,PZTA64(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PZTA14	文件：182.72 Kbytes Page：4 Pages	Darlington NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor DarlingtonNPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZTA14	文件：51.2 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCPZTA14isaDarlingtontransistor. FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCES=30V CollectorPowerDissipation:PC(MAX)=1W	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZTA14	文件：44.89 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:PZTA64. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Pre-amplifiersrequiringhighinputimpedance.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZTA14	文件：280.42 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistor FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Pre-amplifiersrequiringhighinputimpedance. DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PZTA64.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZTA14	文件：1.00768 Mbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent(max.500mA) ●Lowvoltage(max.30V). ●Pre-amplifiersrequiringhighinputimpedance.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZTA14	文件：641.93 Kbytes Page：2 Pages	Epitaxial Planar Transistor Description ThePZTA14isdarlingtonamplifiertransistordesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgain.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZTA14	文件：519.789 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
PZTA14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT223-4

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