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PZTA14	文件：524.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：PZTA14；Package：SOT223；NPN Silicon Darlington Transistor 文件：524.98 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PZTA14	文件：182.72 Kbytes Page：4 Pages	Darlington NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor Darlington NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor P/b Lead(Pb)-Free 文件：182.72 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
PZTA14	文件：107.93 Kbytes Page：7 Pages	NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PZTA64. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V). APPLICATIONS • Pre-amplifiers requiring high input impedance. 文件：107.93 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
PZTA14	文件：1.00768 Mbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High current (max. 500 mA) ● Low voltage (max. 30 V). ● Pre-amplifiers requiring high input impedance. 文件：1.00768 Mbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
PZTA14	文件：641.93 Kbytes Page：2 Pages	Epitaxial Planar Transistor Description The PZTA14 is darlington amplifier transistor designed for applications requiring extremely high current gain. 文件：641.93 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
PZTA14	文件：55.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 文件：55.19 Kbytes 页数：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZTA14	文件：44.89 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PZTA64. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V). APPLICATIONS • Pre-amplifiers requiring high input impedance. 文件：44.89 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PZTA14	文件：42.66 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Complementary types: PZTA63, PZTA64 (PNP) 文件：42.66 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PZTA14	文件：51.2 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC PZTA14 is a Darlington transistor. FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCES = 30V * Collector Power Dissipation: PC(MAX) = 1W 文件：51.2 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
PZTA14	文件：139.2 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Complementary types: PZTA 63 PZTA 64 (PNP) 文件：139.2 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS

产品属性

产品编号：
PZTA14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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