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MPS6602G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602RLRA	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602RLRAG	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE6602	文件：2.067949 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6602	文件：476.38 Kbytes Page：11 Pages	NCENandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6602A	文件：597.47 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6602N	文件：1.34224 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NI6602	文件：356.5 Kbytes Page：10 Pages	32-BitCounter/Timers	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCI-6602	文件：356.5 Kbytes Page：10 Pages	32-BitCounter/Timers	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXI-6602	文件：356.5 Kbytes Page：10 Pages	32-BitCounter/Timers	NI National Instruments Inc.	NI
PJS6602	文件：474.84 Kbytes Page：9 Pages	20VComplementaryEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPC6602	文件：265.71 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
STC6602	文件：873.18 Kbytes Page：8 Pages	DualN&PChannelEnhancementModeMOSFET	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
STC6602	文件：613.71 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6602	文件：613.8 Kbytes Page：9 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6602	文件：3.00364 Mbytes Page：7 Pages	N-Ch:3.3A,30V,RDS(ON)65mP-Ch:-2.3A,-30V,RDS(ON)120mN&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TPC6602	文件：134.27 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPEPITAXIALTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：157.81 Kbytes Page：5 Pages	High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPS6602X	文件：5.12246 Mbytes Page：37 Pages	TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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详细参数

型号：
PT6602
功能描述：
变压器音频和信号 T1/CEPT/ISDN TRANSFORMER
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
频率范围：
810 MHz to 960 MHz
绝缘电压：
23 dB
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C
端接类型：
SMD/SMT
尺寸：
6 mm L x 4.9 mm W x 1.6 mm H
产品：
Splitters and Combiners

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌源伟业科技有限公司	PT6602		15+	SOP	1	全新原装正品现货	询价
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更多PT6602供应商更新时间2024-3-28 14:07:00

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