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PSMN1R4-40YLD	文件：275.86 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1D440L；Package：SOT669；N-channel 40 V, 1.4 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 1. General description 240 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. 2. Features and benefits • 240 文件：275.86 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R4-40YLD	文件：302.46 Kbytes Page：13 Pages	丝印：1D440L；Package：LFPAK56；N-channel 40 V, 1.4 m廓, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 文件：302.46 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R4-40YLD_V01	文件：275.86 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 40 V, 1.4 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 1. General description 240 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. 2. Features and benefits • 240 文件：275.86 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R4-40YLDX	文件：275.86 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 40 V, 1.4 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 1. General description 240 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. 2. Features and benefits • 240 文件：275.86 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R4-40YLD_15	文件：288.76 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 40 V 1.4 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 文件：288.76 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN1R4-40YLD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 40 V, 1.4 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology 240 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. • 240 A capability\n• Avalanche rated, 100% tested at IAS = 190 A\n• NextPower-S3 technology delivers 'superfast switching with soft recovery'\n• Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs\n• Schottky-Plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS ;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN1R4-40YLD/1X	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1.4
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1.85
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
240
QGD [typ] (nC)：
13
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
45
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
96
Ptot [max] (W)：
238
Qr [typ] (nC)：
61
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
6661
Coss [typ] (pF)：
1543
Release date：
2014-04-11

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PSMN1R4-40YLD	恩XP	24+	SOT669	3524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
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更多PSMN1R4-40YLD供应商更新时间2025-12-11 23:00:00

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