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QPA1003D

1–8GHz10WGaNPowerAmplifier

ProductFeatures •FrequencyRange:1–8GHz •POUT:40dBm(PIN=15dBm) •PAE:30(PIN=15dBm) •LargeSignalGain:25dB(PIN=15dBm) •SmallSignalGain:30dB •Bias:VD=+28V,IDQ=650mA •ChipDimensions:3.3x3.55x0.10mm

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

QPA1003P

1??8GHz10WGaNPowerAmplifier

TriQuint

TriQuint Semiconductor

QPA1003P

1–8GHz10WGaNPowerAmplifier

ProductFeatures •FrequencyRange:1–8GHz •POUT:40dBm(PIN=15dBm) •PAE:30(PIN=15dBm) •LargeSignalGain:25dB(PIN=15dBm) •SmallSignalGain:30dB •Bias:VD=+28V,IDQ=650mA •PackageDimensions:5.0x6.0x1.76mm •ProcessTechnology:QGaN15

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

QPD1003

500W,50V,1.2??1.4GHz,GaNRFIMFET

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

R1003

SwitchingApplication

SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=22KΩ,R2=22KΩ) •ComplementtoKSR2003

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

RBU1003M

SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Ampere

RECTRON

Rectron Semiconductor

RBU1003M

SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

RF1003

SAWFilter

REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED

来亿中国来亿中国有限公司

RFHA1003

30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RFHA1003SB

30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    PR1003-T

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PR1003-T供应商 更新时间2025-7-23 15:08:00