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30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND | RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司 | RFMD | ||
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5.1-5.9GHzU-NIIPowerAmplifier | ANADIGICS ANADIGICS, Inc | ANADIGICS | ||
GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz | RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司 | RFMD | ||
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GLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER | HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司 | HORNBY | ||
Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
产品属性
- 产品编号：
PR1003-T
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
- 供应商器件封装：
DO-41
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
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DO41 |
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DO41 |
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