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PSEK6002	文件：97.58 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM
PTC6002	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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R6002ENH	文件：1.69183 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RJK6002DPD	文件：1.77772 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
PPD6002
功能描述：
Analog IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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