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RF2369	文件：257.209 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2369isaswitchablelownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifier.WhenusedasanLNA,thebiascurrentcanbesetexternally.WhenusedasaPAdriver	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2369PCBA	文件：257.209 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2369isaswitchablelownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifier.WhenusedasanLNA,thebiascurrentcanbesetexternally.WhenusedasaPAdriver	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SI2369BDS	文件：214.02 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2369D	文件：203.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2369DS	文件：242.45 Kbytes Page：10 Pages	Materialcategorization FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Formobilecomputing -Loadswitch -Notebookadaptorswitch -DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2369DS	文件：2.23157 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET Application\| «InterfacingSwitching\| «Portableequipmentandbattery LoadSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
SI2369DS	文件：203.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Formobilecomputing -Loadswitch -Notebookadaptorswitch -DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2369DS	文件：2.20127 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2369DS-HF	文件：2.25568 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SO2369	文件：46.12 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■LOWCURRENT,FASTSWITCHINGAPPLICATIONS.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
PN2369_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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