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SI2369BDS	文件：214.02 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：214.02 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2369BDS-T1-GE3	文件：214.02 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：214.02 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
Si2369BDS	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SI2369D	文件：203.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：203.3 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2369DS	文件：242.45 Kbytes Page：10 Pages	Material categorization FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • For mobile computing - Load switch - Notebook adaptor switch - DC/DC converter 文件：242.45 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2369DS	文件：2.20127 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-7.6A (VGS =±20V) ● RDS(ON) 文件：2.20127 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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