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SO2369A	文件：46.12 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■LOWCURRENT,FASTSWITCHINGAPPLICATIONS.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SSF2369	文件：293.95 Kbytes Page：5 Pages	PWMapplications DESCRIPTION TheSSF2369usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES ●VDS=-20V,ID=-3A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF2369	文件：471.21 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF2369	文件：1.36872 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TLV2369	文件：1.1372 Mbytes Page：27 Pages	Cost-Optimized,800-nA,1.8-V,Rail-to-RailI/OOperationalAmplifierwithZero-CrossoverDistortion	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2369IDGKR	文件：1.1372 Mbytes Page：27 Pages	Cost-Optimized,800-nA,1.8-V,Rail-to-RailI/OOperationalAmplifierwithZero-CrossoverDistortion	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2369IDGKT	文件：1.1372 Mbytes Page：27 Pages	Cost-Optimized,800-nA,1.8-V,Rail-to-RailI/OOperationalAmplifierwithZero-CrossoverDistortion	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2369IDR	文件：1.1372 Mbytes Page：27 Pages	Cost-Optimized,800-nA,1.8-V,Rail-to-RailI/OOperationalAmplifierwithZero-CrossoverDistortion	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
W2369	文件：1.3193 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedDesignSystem(ADS)WirelessLibraries	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT

详细参数

型号：
PN2369_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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