PMXB65UPE中文资料12 V, P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMXB65UPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM
• Drain-source on-state resistance RDSon = 59 mΩ
• Very low gate-source threshold voltage for portable applications VGS(th) = -0.68 V
应用 Application
• High-side load switch and charging switch for portable devices
• Power management in battery driven portables
• LED driver
• DC-to-DC converter
技术参数
- 制造商编号
：PMXB65UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-12
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：72
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：98
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1500
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-3.2
- QGD [typ] (nC)
：1.9
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：6.7000003
- Ptot [max] (W)
：0.317
- VGSth [typ] (V)
：-0.68
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：634
- Coss [typ] (pF)
：167
- Release date
：2014-02-04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
DFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
500000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2450+ |
DFN-1010D-3 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NEXPERIA |
23+ |
DFN1010D- |
28611 |
只做原装,专为终端工厂服务,BOM全配。 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT1215 |
115000 |
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
DFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1215 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
3XDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
