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PMXB120EPE中文资料30 V, P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMXB120EPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM
• Drain-source on-state resistance RDSon = 100 mΩ
应用 Application
• High-side load switch and charging switch for portable devices
• Power management in battery driven portables
• LED driver
• DC-to-DC converter
技术参数
- 制造商编号
：PMXB120EPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：120
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：170
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-2.4
- QGD [typ] (nC)
：1.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：6.2000003
- Ptot [max] (W)
：0.4
- VGSth [typ] (V)
：-1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：309
- Coss [typ] (pF)
：41
- Release date
：2013-09-17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1215 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
DFN1010D-3 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
3XDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN1010D-3 |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
nexperia |
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MOSFET |
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恩XP |
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恩XP |
22+ |
NA |
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Nexperia |
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NA |
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24+ |
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