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PMX800ENE中文资料60 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PMX800ENE

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 12:01:00

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PMX800ENE规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology.

特性 Features

• Logic-level compatible
• Leadless ultra small package 0.63mm x 0.33 mm x 0.25 mm
• Trench MOSFET technology
• Low profile (0.25 mm)
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

应用 Application

• Battery switch
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits

技术参数

  • 制造商编号

    :PMX800ENE

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN0603-3

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :1

  • VDS [max] (V)

    :60

  • VGS [max] (V)

    :20

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

    :1100

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :1200

  • integrated gate-source ESD protection diodes

    :Y

  • VESD HBM (V)

    :1000

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • ID [max] (A)

    :0.5

  • QGD [typ] (nC)

    :0.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)

    :0.6

  • Ptot [max] (W)

    :0.3

  • VGSth [typ] (V)

    :1.6

  • Automotive qualified

    :N

  • Ciss [typ] (pF)

    :32

  • Coss [typ] (pF)

    :4

  • Release date

    :2022-06-01

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