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PMX800ENE	文件：274.81 Kbytes Page：14 Pages	丝印：J；Package：SOT8013；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Leadless ultra small package 0.63mm x 0.33 mm x 0.25 m 文件：274.81 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMX800ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Leadless ultra small package 0.63mm x 0.33 mm x 0.25 mm\n• Trench MOSFET technology\n• Low profile (0.25 mm)\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
UF800	文件：71.31 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER VOLTAGE 50 to 600 Volts CURRENT 8.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. 文件：71.31 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
UF800F	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATION ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 8.0 Amperes) VOLTAGE 50 to 600 Volts CURRENT 8.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. 文件：74.47 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
UPA800T	文件：51.21 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, 文件：51.21 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package name：
DFN0603-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1100
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.5
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.6
Ptot [max] (W)：
0.3
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
32
Coss [typ] (pF)：
4
Release date：
2022-06-01

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