PMXB65ENE中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMXB65ENE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV
• Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 44 mΩ
应用 Application
• Low-side load switch and charging switch for portable devices
• Power management in battery-driven portables
• LED driver
• DC-to-DC converters
技术参数
- 制造商编号
：PMXB65ENE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：67
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：3.2
- QGD [typ] (nC)
：0.90000004
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：6
- Ptot [max] (W)
：0.4
- VGSth [typ] (V)
：1.4
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：295
- Coss [typ] (pF)
：40
- Release date
：2013-09-10
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