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PMXB65ENE	文件：247.69 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandthinSMDplastic	ETC	ETC
PMXB65ENE	文件：745.8 Kbytes Page：15 Pages	丝印：00；Package：SOT1215；30 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandthinSMDp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMXB65ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV\n• Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 44 mΩ\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMXB65ENE_15	文件：261.89 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
67
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
3.2
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
6
Ptot [max] (W)：
0.4
VGSth [typ] (V)：
1.4
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
295
Coss [typ] (pF)：
40
Release date：
2013-09-10

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