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PMXB65ENE	文件：247.69 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandthinSMDplastic	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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30 V, N-channel Trench MOSFET

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Marking：00；Package：SOT1215；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandthinSMDp

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30 V, N-channel Trench MOSFET

PhilipsNXP Semiconductors

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详细参数

型号：
PMXB65ENE
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

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