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PMXB360ENEA中文资料80 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMXB360ENEA规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Relay driver
• Power management in automotive and industrial applications
• LED driver
• DC-to-DC converter
技术参数
- 制造商编号
：PMXB360ENEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：80
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：450
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：540
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：1.1
- QGD [typ] (nC)
：0.6
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：3
- Ptot [max] (W)
：0.4
- VGSth [typ] (V)
：1.7
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：130
- Coss [typ] (pF)
：20
- Release date
：2013-09-16
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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