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PMXB360ENEA	文件：225.84 Kbytes Page：15 Pages	80 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Logic-level compatible • Leadless ultra small and ultra thin SMD plas 文件：225.84 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMXB360ENEA	文件：252.77 Kbytes Page：14 Pages	丝印：11；Package：SOT1215；80 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Leadless ultra small and ultra thin S 文件：252.77 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMXB360ENEA_15	文件：225.84 Kbytes Page：15 Pages	80 V, N-channel Trench MOSFET 文件：225.84 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMXB360ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	80 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
450
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
540
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1.1
QGD [typ] (nC)：
0.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
3
Ptot [max] (W)：
0.4
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
130
Coss [typ] (pF)：
20
Release date：
2013-09-16

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