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PMV65XP	文件：465.06 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.06 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMV65XP	文件：729.62 Kbytes Page：14 Pages	丝印：M9；Package：SOT23；20 V, single P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Low on-state resistance • Trench MOSFET technology 3. 文件：729.62 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65XP	文件：2.54009 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Mosfet Application «+ Load/Power Switching «Interfacing Switching * Logic Level Shift 文件：2.54009 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMV65XP	文件：79.45 Kbytes Page：12 Pages	丝印：-M9；Package：SOT-23；P-channel TrenchMOS extremely low level FET 文件：79.45 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV65XP	文件：269.95 Kbytes Page：14 Pages	丝印：-M9；Package：SOT-23；20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：269.95 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV65XP	文件：464.99 Kbytes Page：4 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：464.99 Kbytes 页数：4 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV65XPER	文件：991.59 Kbytes Page：3 Pages	丝印：YESx；Package：SOT23；20V P-Channel MOSFFT Application + Load/Power switch + Interfacing, logic switching + Battery management for ultra protable electronics 文件：991.59 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMV65XP_15	文件：269.95 Kbytes Page：14 Pages	丝印：-M9；Package：SOT-23；20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：269.95 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV65XPE	文件：708.89 Kbytes Page：15 Pages	丝印：KE；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：708.89 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65XPE_15	文件：243.55 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：243.55 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI

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技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
74
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
92
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-4.3
QGD [typ] (nC)：
1.65
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.7
Ptot [max] (W)：
0.48
VGSth [typ] (V)：
-0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
744
Coss [typ] (pF)：
65
Release date：
2011-01-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市乐创天科技有限公司	PMV65XP	恩XP	2010	SOT23-3	1897	全新原装正品现货	询价
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