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PMV65XP中文资料安世数据手册PDF规格书

PMV65XP
厂商型号

PMV65XP

功能描述

20 V, single P-channel Trench MOSFET

丝印标识

M9

封装外壳

SOT23

文件大小

729.62 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PMV65XP规格书详情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Low on-state resistance

• Trench MOSFET technology

3. Applications

• Low power DC-to-DC converters

• Load switching

• Battery management

• Battery powered portable equipment

产品属性

  • 型号:

    PMV65XP

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH TRENCH 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia/安世
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