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PMV65XPE	文件：708.89 Kbytes Page：15 Pages	丝印：KE；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：708.89 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65XPER	文件：991.59 Kbytes Page：3 Pages	丝印：YESx；Package：SOT23；20V P-Channel MOSFFT Application + Load/Power switch + Interfacing, logic switching + Battery management for ultra protable electronics 文件：991.59 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMV65XPE_15	文件：243.55 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：243.55 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV65XPEA	文件：710.92 Kbytes Page：16 Pages	丝印：DN；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：710.92 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65XPEA_15	文件：245.93 Kbytes Page：16 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：245.93 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
PMV65XPER	文件：708.89 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：708.89 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65XPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability: Ptot = 890 mW\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV65XPEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability: Ptot = 890 mW\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
78
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
125
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-3.3
QGD [typ] (nC)：
1.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
5
Ptot [max] (W)：
0.48
VGSth [typ] (V)：
-1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
618
Coss [typ] (pF)：
80
Release date：
2014-04-25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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