PMV31XN数据手册Nexperia中文资料规格书
PMV31XN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 型号：
PMV31XN
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
34548 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
25500 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
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恩XP |
23+ |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
2023+ |
sot23 |
50000 |
原装现货 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 |
