PMV30UN2数据手册Nexperia中文资料规格书
PMV30UN2规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Enhanced power dissipation capability of 1000 mW
应用 Application
• LED driver
• Power management
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV30UN2
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：32
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：43
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：5.4
- QGD [typ] (nC)
：1.4
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：6.2000003
- Ptot [max] (W)
：0.49
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：655
- Coss [typ] (pF)
：70
- Release date
：2014-06-03
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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NA/ |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-23 |
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