PMV27UPE数据手册Nexperia中文资料规格书
PMV27UPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM
应用 Application
• LED driver
• Power management
• High-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV27UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：32
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：45
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-5.6
- QGD [typ] (nC)
：2.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：14.700001
- Ptot [max] (W)
：0.49
- VGSth [typ] (V)
：-0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1820
- Coss [typ] (pF)
：208
- Release date
：2014-05-14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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