PMV19XNEA中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMV19XNEA规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 500 V HBM (class H1B)
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV19XNEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：24
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：31
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：6
- QGD [typ] (nC)
：2.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：12.400001
- Ptot [max] (W)
：0.61
- Qr [typ] (nC)
：2
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：1150
- Coss [typ] (pF)
：110
- Release date
：2019-09-06
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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82000 |
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恩XP |
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询价 |
