PMV30ENEA中文资料40 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMV30ENEA规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV30ENEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：40
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：40
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：4.8
- QGD [typ] (nC)
：1.6
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：7.7999997
- Ptot [max] (W)
：0.71
- Qr [typ] (nC)
：4
- VGSth [typ] (V)
：1.6
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：440
- Coss [typ] (pF)
：76
- Release date
：2019-04-02
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