PMV20EN数据手册Nexperia中文资料规格书
PMV20EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Enhanced power dissipation capability of 1200 mW
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV20EN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：21
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：26
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：7.6
- QGD [typ] (nC)
：0.7
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：7.2000003
- Ptot [max] (W)
：0.51
- VGSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：435
- Coss [typ] (pF)
：90
- Release date
：2014-05-28
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
35936 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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恩XP |
24+ |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-23 |
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