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PMV30UN	文件：342.44 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMV30UNinSOT23. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountpackagenFastswitching. nBatterymanagementnHigh-speedswitches.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV30UN	文件：238.08 Kbytes Page：12 Pages	UTrenchMOS ultra low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMV30UN	文件：200.04 Kbytes Page：3 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS??technology.	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV30UN2R-TP	文件：1.32896 Mbytes Page：4 Pages	Marking：V6NE；Package：SOT23；N-Channel MOSFET GeneralFeatures ©Vos2201o268\| Reson	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PMV30UN2	文件：733.08 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV30UN2_15	文件：273.32 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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深圳市高捷芯城科技有限公司	PMV30UN	恩XP	24+	标准封装	17048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PMV30UN	恩XP	23+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多PMV30UN供应商更新时间2025-7-21 16:05:00