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PMV30UN	文件：342.44 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PMV30UN in SOT23. 1.2 Features 1.3 Applications n Surface mount package n Fast switching. n Battery management n High-speed switches. 文件：342.44 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV30UN	文件：238.08 Kbytes Page：12 Pages	UTrenchMOS ultra low level FET 文件：238.08 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV30UN	文件：200.04 Kbytes Page：3 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS??technology. 文件：200.04 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV30UN2R-TP	文件：1.32896 Mbytes Page：4 Pages	丝印：V6NE；Package：SOT23；N-Channel MOSFET General Features © Vos 2201 o 268 \| Reson 文件：1.32896 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
PMV30UN2	文件：733.08 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：733.08 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV30UN2_15	文件：273.32 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：273.32 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV30UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS ultra low level FET Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia
PMV30UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	UTrenchMOS ultra low level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PMV30UN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability of 1000 mW;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
32
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
43
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5.4
QGD [typ] (nC)：
1.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
6.2000003
Ptot [max] (W)：
0.49
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
655
Coss [typ] (pF)：
70
Release date：
2014-06-03

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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