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PMV30UN中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PMV30UN

功能描述

TrenchMOS™ ultra low level FET

文件大小

342.44 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 19:10:00

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PMV30UN规格书详情

1.1 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PMV30UN in SOT23.

1.2 Features

1.3 Applications

n Surface mount package n Fast switching.

n Battery management n High-speed switches.

产品属性

  • 型号:

    PMV30UN

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
SOT-23
880000
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