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PMV28ENE	文件：265.32 Kbytes Page：15 Pages	丝印：4D；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：265.32 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV28ENEA	文件：266.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HP；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：266.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV28ENEAR	文件：266.63 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：266.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV28ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV28ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
37
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
51
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1500
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
4.4
QGD [typ] (nC)：
1.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
5.3
Ptot [max] (W)：
0.66
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
266
Coss [typ] (pF)：
70
Release date：
2021-11-29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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