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PMV28ENEA	文件：266.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HP；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：266.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV28ENEAR	文件：266.63 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：266.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV28ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV28OENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT	安世上传：深圳市豪仕达电子有限公司	安世
PMV40UN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NEXPERIA/安世上传：深圳市勤谨实业有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
37
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
51
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
4.4
QGD [typ] (nC)：
1.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
5.3
Ptot [max] (W)：
0.66
Qr [typ] (nC)：
2
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
266
Coss [typ] (pF)：
70
Release date：
2019-05-09

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