PMT29EN中文资料30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMT29EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 型号:
PMT29EN
- 功能描述:
MOSFET 30 V, 6 A N-CH TRENCH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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