PMT200EPE中文资料70 V, P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMT200EPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMT200EPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SC-73
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-70
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：167
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：225
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-2.4
- QGD [typ] (nC)
：1.05
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：10.6
- Ptot [max] (W)
：0.8
- VGSth [typ] (V)
：-2
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：822
- Coss [typ] (pF)
：47
- Release date
：2018-03-14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT223 |
50000 |
只做原装正品 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SC-73 |
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国产 |
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NEXPERIA |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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