PMT21EN数据手册Nexperia中文资料规格书
PMT21EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 型号:
PMT21EN
- 功能描述:
MOSFET 30 V, 7.4 A N-CH TRENCH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT223 |
38314 |
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恩XP |
25+ |
SOT223 |
880000 |
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ADI |
23+ |
SOT-223 |
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VBsemi(台湾微碧) |
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SOT223-3 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT223 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
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恩XP |
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TO2614 TO261AA |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT223 |
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恩XP |
22+ |
NA |
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