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PMR290XN

N-channel TrenchMOS extremely low level FET

Extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Nexperia

安世

PMR290XN

N-channel mTrenchMOS??extremely low level FET

文件:209.96 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIA

安世

PMR290XN,115

MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416

恩XP

恩XP

PMZ290UN

20 V, single N-channel Trench MOSFET

文件:336.28 Kbytes 页数:16 Pages

NEXPERIA

安世

PMZ290UNE

20 V, N-channel Trench MOSFET

文件:707.04 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PMZB290UN

20 V, single N-channel Trench MOSFET

文件:706.44 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

详细参数

  • 型号:

    PMR290XN

  • 功能描述:

    MOSFET UTRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
2019+PB
SC-75
3500
原装正品 可含税交易
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