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PMZ290UNE	文件：707.04 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZS；Package：DFN1006-3；20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：707.04 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZ290UNE_15	文件：219.45 Kbytes Page：14 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：219.45 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PMZ290UNE2	文件：719.63 Kbytes Page：16 Pages	丝印：SC；Package：DFN1006-3；20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：719.63 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMZ290UNE2_15	文件：230.93 Kbytes Page：16 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：230.93 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
PMZ290UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMZ290UNE - 20 V, N-channel Trench MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Trench MOSFET technology\n·Low threshold voltage\n· Very fast switching\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM \n·Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 × 0.6 × 0.48 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZ290UNE2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM\n• Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 x 0.6 x 0.48 mm;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1006-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
380
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
620
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
1
Q_GD [typ] (nC)：
0.15
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
0.45
P_tot [max] (W)：
0.36
V_GSth [typ] (V)：
0.75
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
55
C_oss [typ] (pF)：
15
Date：
2014-05-14

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