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PMN25ENEA	文件：265.05 Kbytes Page：14 Pages	丝印：J3；Package：TSOP6；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：265.05 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN25ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN48XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-457	NEXPERIA/安世上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA/安世
PMPB15XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN	恩XP 上传：深圳市中远芯科技有限公司	恩XP
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
24
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
32
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
6.4
QGD [typ] (nC)：
2.1499999
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
9.5
Ptot [max] (W)：
0.667
Qr [typ] (nC)：
4
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
440
Coss [typ] (pF)：
110
Release date：
2019-03-14

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市润联芯城科技有限公司	PMN25ENEA	NEXPERIA/安世	23+	SOT457	50000	只做原装正品	询价
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更多PMN25ENEA供应商更新时间2026-1-17 11:15:00

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