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PMN48XP	文件：448.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：448.49 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMN48XP	文件：1.11586 Mbytes Page：15 Pages	丝印：ZV；Package：TSOP6；20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET 文件：1.11586 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN48XPA	文件：265.97 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BA；Package：TSOP6；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Very fast switching • AEC- 文件：265.97 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN48XPA2	文件：292.05 Kbytes Page：15 Pages	丝印：6E；Package：SC-74；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Very fast swit 文件：292.05 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN48XP_15	文件：528.83 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET 文件：528.83 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMN48XPA	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN48XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low RDSon\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN48XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN48XPA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified\n;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
55
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
82
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-4.1
QGD [typ] (nC)：
1.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.7
Ptot [max] (W)：
0.53
VGSth [typ] (V)：
-1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
999.99994
Coss [typ] (pF)：
130
Release date：
2011-04-22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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