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PMN25ENE	文件：264.74 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3H；Package：SOT457；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Logic-level compatible • Very fast switching • Electr 文件：264.74 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN25ENEA	文件：265.05 Kbytes Page：14 Pages	丝印：J3；Package：TSOP6；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：265.05 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN25ENEX	文件：264.74 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Logic-level compatible • Very fast switching • Electr 文件：264.74 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN25ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN25ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT457
Package name：
TSOP6
Product status：
Production
型号：
PMN25ENE
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
24
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
32
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
8
Q_GD [typ] (nC)：
2.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
12.6
P_tot [max] (W)：
0.56
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
597
C_oss [typ] (pF)：
117
Date：
2018-04-16

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