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PMDT670UPE数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号:
PMDT670UPE
- 功能描述:
MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
原装 |
600000 |
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恩XP |
1417+ |
SOT563 |
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恩XP |
23+ |
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20094 |
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恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
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恩XP |
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SOT-666-6 |
6540 |
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Nexperia USA Inc. |
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恩XP |
24+ |
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恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装,正品 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT666 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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Nexperia(安世) |
24+ |
SOT6666 |
7350 |
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