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PMDT670UPE中文资料20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PMDT670UPE
- 功能描述：
MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT666 |
315000 |
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Nexperia USA Inc. |
2022+ |
SOT-666 |
38550 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT666 |
39197 |
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恩XP |
2450+ |
SOT-666-6 |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
N/A |
524237 |
原装原装原装 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
原装 |
600000 |
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询价 | ||
恩XP |
21+ |
6000 |
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询价 | |||
恩XP |
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SOT563 |
3034 |
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询价 | ||
2023+ |
SOT563 |
8800 |
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询价 |
