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PMD10K60中文资料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington数据手册Central规格书

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厂商型号

PMD10K60

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:12:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PMD10K60

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-3

  • Configuration/ Description

    :NPN Darlington

  • Polarity

    :NPN

  • IC MAX

    :12A

  • PD MAX

    :150W

  • VCEO MAX

    :60V

  • VCES MAX

    :-

  • hFE MIN

    :1000

  • hFE MAX

    :20000

  • @VCE

    :3V

  • VCE(SAT) MAX

    :2V

  • @IC

    :6A

  • @IB

    :24mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :300pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :4MHz

  • NF MAX

    :-

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