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PMCPB5530X中文资料20 V, complementary Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMCPB5530X规格书详情
描述 Description
Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Relay driver
• LED backlight driver
• Low-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMCPB5530X
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N/P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：34
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：46
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：5.3
- QGD [typ] (nC)
：1.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：14.400001
- Ptot [max] (W)
：0.49
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：660
- Coss [typ] (pF)
：87
- Release date
：2012-07-04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
7136 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
恩XP |
DFN2020-6 |
6500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
21+ |
原厂封装 |
1975 |
询价 | |||
恩XP |
2022+ |
DFN2020 |
8020 |
全新原装 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
7500 |
进口原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
DFN2020 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
DFN2020 |
20000 |
询价 |
