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PMCM4401VNE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Ultra small package: 0.78 × 0.78 × 0.35 mm
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMCM4401VNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：WLCSP4
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：12
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：42
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：54
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：6
- QGD [typ] (nC)
：1.8000001
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：6
- Ptot [max] (W)
：0.4
- VGSth [typ] (V)
：0.6
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：335
- Coss [typ] (pF)
：130
- Release date
：2015-07-24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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