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PMCXB1000UE数据手册Nexperia中文资料规格书

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厂商型号

PMCXB1000UE

功能描述

30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:36:00

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PMCXB1000UE规格书详情

描述 Description

Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

特性 Features

• Trench MOSFET technology
• Very low threshold voltage for portable applications: VGS(th) = 0.7 V
• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

应用 Application

• Relay driver
• High-speed line driver
• Level shifter
• Power management in battery-driven portables

技术参数

  • 制造商编号

    :PMCXB1000UE

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN1010B-6

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N/P

  • Nr of transistors

    :2

  • VDS [max] (V)

    :30

  • VGS [max] (V)

    :8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :670

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)

    :900

  • integrated gate-source ESD protection diodes

    :Y

  • VESD HBM (V)

    :2000

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • ID [max] (A)

    :0.59

  • QGD [typ] (nC)

    :0.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.6

  • Ptot [max] (W)

    :0.285

  • VGSth [typ] (V)

    :0.7

  • Automotive qualified

    :N

  • Ciss [typ] (pF)

    :30.3

  • Coss [typ] (pF)

    :5.7999997

  • Release date

    :2016-06-27

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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