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PMBTA45	文件：265.97 Kbytes Page：14 Pages	Marking：LK；Package：SOT23；500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1Generaldescription NPNhigh-voltagelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorina SOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBHV9050T. 1.2Featuresandbenefits Highvoltage Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBTA45_15	文件：152.3 Kbytes Page：13 Pages	500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBTA45,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

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Marking：LK；Package：SOT23；500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

1.1Generaldescription NPNhigh-voltagelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorina SOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBHV9050T. 1.2Featuresandbenefits Highvoltage Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat H

安世安世半导体(中国)有限公司

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500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

PMBTA45,215

文件：100 bytes

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Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB

Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PMBTA45
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS NPN 500V 150MA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PMBTA45供应商更新时间2025-7-23 15:33:00

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