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PMBTA45数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PMBTA45

参数属性

PMBTA45 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB

功能描述

500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:36:00

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PMBTA45规格书详情

描述 Description

NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9050T.

特性 Features

• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Electronic ballasts
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• Automotive motor management
• Flyback converters
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)

技术参数

  • 制造商编号

    :PMBTA45

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SOT23

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.3 x 1

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :300

  • VCEO [max] (V)

    :500

  • IC [max] (mA)

    :150

  • hFE [min]

    :50

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :Y

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