PMBTA45中文资料500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PMBTA45 |
| 参数属性 | PMBTA45 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB |
| 功能描述 | 500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 18:08:00 |
| 人工找货 | PMBTA45价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PMBTA45规格书详情
描述 Description
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9050T.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Electronic ballasts
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• Automotive motor management
• Flyback converters
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PMBTA45
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：500
- IC [max] (mA)
：150
- hFE [min]
：50
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：Y
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