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PMBTA45分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PMBTA45
厂商型号

PMBTA45

参数属性

PMBTA45 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB

功能描述

500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB

丝印标识

LK

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

265.97 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PMBTA45规格书详情

PMBTA45属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PMBTA45晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

1.1 General description

NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a

SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBHV9050T.

1.2 Features and benefits

High voltage

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

High collector current capability IC and ICM

High collector current gain (hFE) at high IC

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Electronic ballasts

LED driver for LED chain module

LCD backlighting

Automotive motor management

Flyback converters

Hook switch for wired telecom

Switch Mode Power Supply (SMPS)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PMBTA45,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    90mV @ 6mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    35MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 500V 0.15A TO236AB

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